رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4920DY
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4920DY-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
1570 قطع جديدة أصلية في المخزون
12935496
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4920DY المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI4920
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
807
اسماء اخرى
FAIFSCSI4920DY
2156-SI4920DY
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4953DY
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
SI6955DQ
MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8TSSOP
RF3S49092SM9A
MOSFET N/P-CH 12V 20A TO263-5