G3R60MT07D
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

G3R60MT07D

Product Overview

المُصنّع:

GeneSiC Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

G3R60MT07D-DG

وصف:

750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
وصف تفصيلي:
750 V Through Hole TO-247-3

المخزون:

2888 قطع جديدة أصلية في المخزون
12958893
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

G3R60MT07D المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
GeneSiC Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
G3R™
حالة المنتج
Active
نوع FET
-
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
750 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
+20V, -10V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
1242-G3R60MT07D

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SQJ126EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)

micro-commercial-components

MCU60N08-TP

MOSFET N-CH

mdd

2N7002K

MOSFET SOT-23 N Channel 60V

microchip-technology

MSC017SMA120B

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247