رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G3R60MT07D
Product Overview
المُصنّع:
GeneSiC Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G3R60MT07D-DG
وصف:
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
وصف تفصيلي:
750 V Through Hole TO-247-3
المخزون:
2888 قطع جديدة أصلية في المخزون
12958893
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G3R60MT07D المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
GeneSiC Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
G3R™
حالة المنتج
Active
نوع FET
-
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
750 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
+20V, -10V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
1242-G3R60MT07D
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJ126EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
MCU60N08-TP
MOSFET N-CH
2N7002K
MOSFET SOT-23 N Channel 60V
