2302
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2302

Product Overview

المُصنّع:

Goford Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

2302-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 4.3A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

6469 قطع جديدة أصلية في المخزون
12949110
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2302 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300 pF @ 10 V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
4822-2302TR
3141-2302CT
3141-2302DKR
3141-2302TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
goford-semiconductor

2302

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

diodes

2N7002W-7-F

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323

diodes

ZVP4424A

MOSFET P-CH 240V 200MA TO92-3

toshiba-semiconductor-and-storage

XPW4R10ANB,L1XHQ

MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101