رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G1002
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G1002-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 1.3W (Tc) Surface Mount SOT-23
المخزون:
30000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12944834
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G1002 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
535 pF @ 50 V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
4822-G1002TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFSL4010-306
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
G040P04T
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
GT180P08T
MOSFET P-CH 80V 89A TO-220
