رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G12P10KE
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G12P10KE-DG
وصف:
MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
وصف تفصيلي:
P-Channel 12A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252
المخزون:
13001990
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G12P10KE المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
4822-G12P10KETR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ICE15N60FP
Superjunction MOSFET
SIHB6N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
NTBG028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
