رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G2002A
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G2002A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
وصف تفصيلي:
N-Channel 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
المخزون:
13002129
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G2002A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
540mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-6L
العبوة / العلبة
SOT-23-6
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
4822-G2002ATR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3415C-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
AOB66811L
FET N CHANNEL 80V
MCTL295N06Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L