رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G20P06K
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G20P06K-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
وصف تفصيلي:
P-Channel 20A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252
المخزون:
2500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12988405
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G20P06K المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
4822-G20P06KTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TJ90S04M3L,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
IPB65R090CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
S2M0025120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V