رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G20P10KE
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G20P10KE-DG
وصف:
MOSFET P-CH ESD 100V 20A TO-252
وصف تفصيلي:
P-Channel 20A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252
المخزون:
12987762
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G20P10KE المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
116mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
4822-G20P10KETR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMPB14R7EPX
MOSFET P-CH 30V 8A DFN2020M-6
SQJQ186ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
RD3G03BATTL1
PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
