رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
G230P06K
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
G230P06K-DG
وصف:
P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 60A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252
المخزون:
1760 قطع جديدة أصلية في المخزون
12997770
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
G230P06K المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4581 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
115W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
3141-G230P06KCT
3141-G230P06KTR
3141-G230P06KDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
G300P06S
P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
RH6L040BGTB1
NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
RCJ331N25TL
250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
