G50N03K
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

G50N03K

Product Overview

المُصنّع:

Goford Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

G50N03K-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
وصف تفصيلي:
N-Channel 65A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

المخزون:

80000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12978210
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

G50N03K المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
65A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
4822-G50N03KTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
goford-semiconductor

GC11N65F

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

GC11N65F

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F

goford-semiconductor

3400

N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M

goford-semiconductor

3400

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23