رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
GT095N10D5
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
GT095N10D5-DG
وصف:
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
المخزون:
14841 قطع جديدة أصلية في المخزون
13001031
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
GT095N10D5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SGT
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
55A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
74W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PDFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
4822-GT095N10D5TR
3141-GT095N10D5CT
3141-GT095N10D5TR
3141-GT095N10D5DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK4D38-20PX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
XP2N1K2EN1
MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
XP9561GI
MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM