رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
GT105N10F
Product Overview
المُصنّع:
Goford Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
GT105N10F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 33A (Tc) 20.8W (Tc) Through Hole TO-220F
المخزون:
60000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12986227
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
GT105N10F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
SGT
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
20.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
4822-GT105N10F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IAUZ40N08S5N100ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
SQS160ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
G10P03
P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<3
