GT110N06S
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

GT110N06S

Product Overview

المُصنّع:

Goford Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

GT110N06S-DG

وصف:

N60V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<1
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

المخزون:

5028 قطع جديدة أصلية في المخزون
12974570
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

GT110N06S المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SGT
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
3141-GT110N06SDKR
3141-GT110N06SCT
3141-GT110N06STR
4822-GT110N06STR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SIR582DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

onsemi

FDMS86163P-23507X

FET -100V 22.0 MOHM PQFN56

onsemi

NTTFS080N10GTAG

100V MVSOA IN U8FL PACKAGE

onsemi

NVMFS5C410NWFET1G

T6-40V N 0.92 MOHMS SL