SSFU6511
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SSFU6511

Product Overview

المُصنّع:

Good-Ark Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

SSFU6511-DG

وصف:

MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.5A, 650
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 32.6W (Tc) Through Hole TO-220F

المخزون:

1000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12999530
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SSFU6511 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Good Ark Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
870 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
32.6W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
4786-SSFU6511

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
goford-semiconductor

G75P04T

MOSFET, P-CH,-40V,-70A,RD(MAX)<7

goford-semiconductor

G700P06LL

MOSFET, P-CH,-60V,-5A,RD(MAX)<75

vishay-siliconix

SIHFRC20TR-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SIHP12N50E-BE3

N-CHANNEL 500V