رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
94-3250
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
94-3250-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
المخزون:
12798248
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
94-3250 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 7V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.5mOhm @ 12A, 7V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2270 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MQ
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MQ
رقم المنتج الأساسي
IRF6604
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,800
اسماء اخرى
IRF6604TR
94-3250TR
SP001525592
IRF6604
IRF6604CT-DG
IRF6604TR-DG
*IRF6604
94-3250CT
IRF6604CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFSA8409-7P
MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
AUIRFS8407-7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
AUIRL2203N
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
