رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AIMBG120R040M1XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
AIMBG120R040M1XTMA1-DG
وصف:
SIC_DISCRETE
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 48A Surface Mount PG-TO263-7-12
المخزون:
1629 قطع جديدة أصلية في المخزون
12989267
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AIMBG120R040M1XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolSiC™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
48A
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-7-12
العبوة / العلبة
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
رقم المنتج الأساسي
AIMBG120
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
448-AIMBG120R040M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R040M1XTMA1TR
448-AIMBG120R040M1XTMA1CT
SP005411513
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC033N08NS5SCATMA1
TRENCH 40<-<100V
MCMN2014A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
PJMH120N60EC_T0_00601
600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
