رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AIMBG120R080M1XTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
AIMBG120R080M1XTMA1-DG
وصف:
SIC_DISCRETE
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 30A Surface Mount PG-TO263-7-12
المخزون:
984 قطع جديدة أصلية في المخزون
12988940
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AIMBG120R080M1XTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolSiC™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-7-12
العبوة / العلبة
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
رقم المنتج الأساسي
AIMBG120
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
448-AIMBG120R080M1XTMA1DKR
SP005411515
448-AIMBG120R080M1XTMA1CT
448-AIMBG120R080M1XTMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD30NF06L
TO-252 MOSFETS ROHS
IRLML6401TRPBF-1
MOSFET
CMS2301T-HF
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
