رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AUIRF5210STRL
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
AUIRF5210STRL-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
951 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839276
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AUIRF5210STRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2780 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
AUIRF5210
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
AUIRF5210STRLCT
AUIRF5210STRLDKR
AUIRF5210STRLTR
SP001519458
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA52P10P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1166
DiGi رقم الجزء
IXTA52P10P-DG
سعر الوحدة
3.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF5210STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7933
DiGi رقم الجزء
IRF5210STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF7N10
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
HUF76439S3ST
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
FDMS8560S
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
