رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AUIRFS6535TRL
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
AUIRFS6535TRL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
12798450
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AUIRFS6535TRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
185mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2340 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
210W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
AUIRFS6535
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
AUIRFS6535TRLTR
SP001521690
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFS3806TRL
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
AUIRF1324S
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
AUIRF1010ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
