رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AUIRLL024NTR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
AUIRLL024NTR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
المخزون:
12798311
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AUIRLL024NTR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
510 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
INFINFAUIRLL024NTR
2156-AUIRLL024NTR
SP001518736
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMN6A11GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1669
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A11GTA-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRLL024NTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
103704
DiGi رقم الجزء
IRLL024NTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC026N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
AUIRFR4292TRL
MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK
AUIRF2903ZL
MOSFET N-CH 30V 160A TO262