الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR116SE6327BTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR116SE6327BTSA1-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12799903
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR116SE6327BTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
التردد - الانتقال
150MHz
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
PG-SOT363-PO
رقم المنتج الأساسي
BCR116
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BCR116
مخططات البيانات
BCR116SE6327BTSA1
ورقة بيانات HTML
BCR116SE6327BTSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BCR 116S E6327
SP000012266
BCR116SE6327BTSA1TR-NDTR
BCR116SE6327XT
BCR 116S E6327-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
UMH2N-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
UMH2N-TP-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MUN5233DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
37536
DiGi رقم الجزء
MUN5233DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MUN5215DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8150
DiGi رقم الجزء
MUN5215DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDC143TU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
210207
DiGi رقم الجزء
DDC143TU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MUN5230DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11513
DiGi رقم الجزء
MUN5230DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCR148SE6327BTSA1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
BCR10PNE6327BTSA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR119SH6433XTMA1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
BCR183SH6327XTSA1
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363-6