الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR129E6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR129E6327HTSA1-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12850894
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR129E6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
150 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
رقم المنتج الأساسي
BCR129
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BCR129
مخططات البيانات
BCR129E6327HTSA1
ورقة بيانات HTML
BCR129E6327HTSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SP000012520
INFINFBCR129E6327HTSA1
BCR129E6327HTSA1TR-DGTR-DG
2156-BCR129E6327HTSA1-ITTR
BCR 129 E6327-DG
BCR129E6327HTSA1TR
BCR129E6327XT
BCR 129 E6327
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
DTC114TKAT146
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
31442
DiGi رقم الجزء
DTC114TKAT146-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MMUN2215LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
48520
DiGi رقم الجزء
MMUN2215LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MMUN2214LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
90855
DiGi رقم الجزء
MMUN2214LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SMMUN2215LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9000
DiGi رقم الجزء
SMMUN2215LT1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DTC143TKAT146
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
14290
DiGi رقم الجزء
DTC143TKAT146-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTA114TM3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
DTA143EET1
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
BCR 196T E6327
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.07A SC75
MMUN2132LT1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3