الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR183WE6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR183WE6327HTSA1-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12799300
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR183WE6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
10 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
PG-SOT323
رقم المنتج الأساسي
BCR183
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BCR183
مخططات البيانات
BCR183WE6327HTSA1
ورقة بيانات HTML
BCR183WE6327HTSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SP000010805
BCR 183W E6327
BCR183WE6327
BCR 183W E6327-DG
BCR183WE6327HTSA1TR-NDTR
BCR183WE6327XT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
PDTA114YU,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
267
DiGi رقم الجزء
PDTA114YU,115-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DTC114ECA-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
578
DiGi رقم الجزء
DTC114ECA-TP-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SMUN5114T3G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SMUN5114T3G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PDTC114ET,235
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
38842
DiGi رقم الجزء
PDTC114ET,235-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PDTA114EU,135
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9516
DiGi رقم الجزء
PDTA114EU,135-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCR553E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
BCR135WE6327BTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
BCR 114L3 E6327
TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
BCR185E6433HTMA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23