الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR191WH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR191WH6327XTSA1-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12798909
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR191WH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
PG-SOT323
رقم المنتج الأساسي
BCR191
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BCR191
مخططات البيانات
BCR191WH6327XTSA1
ورقة بيانات HTML
BCR191WH6327XTSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IFEINFBCR191WH6327XTSA1
BCR 191W H6327
2156-BCR191WH6327XTSA1-ITTR
BCR 191W H6327-DG
BCR191WH6327XTSA1TR
SP000757896
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
DDTA114TUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA114TUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDTA144TUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA144TUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDTA144GUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA144GUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDTA125TUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
DDTA125TUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DDTA124GUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA124GUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCR 169F E6327
TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3
BCR 179F E6327
TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3
BCR 191L3 E6327
TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3
BCR 108F E6327
TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3