رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSB008NE2LXXUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSB008NE2LXXUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
المخزون:
12802287
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSB008NE2LXXUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Ta), 180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
343 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
16000 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MG-WDSON-2, CanPAK M™
العبوة / العلبة
3-WDSON
رقم المنتج الأساسي
BSB008
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-BSB008NE2LXXUMA1CT
448-BSB008NE2LXXUMA1TR
SP000880866
448-BSB008NE2LXXUMA1DKR
BSB008NE2LXXUMA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF6717MTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8674
DiGi رقم الجزء
IRF6717MTRPBF-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPW60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
BSS119 E7978
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AUIRFR5305
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
