رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSB165N15NZ3GXUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSB165N15NZ3GXUMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 9A (Ta), 45A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
المخزون:
12847112
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSB165N15NZ3GXUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 45A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 110µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MG-WDSON-2, CanPAK M™
العبوة / العلبة
3-WDSON
رقم المنتج الأساسي
BSB165
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSB165N15NZ3 GTR-DG
SP000617000
BSB165N15NZ3GXUMA1CT
BSB165N15NZ3 G
BSB165N15NZ3 G-DG
BSB165N15NZ3 GCT-DG
BSB165N15NZ3 GCT
BSB165N15NZ3GXUMA1TR
BSB165N15NZ3 GDKR
BSB165N15NZ3G
INFINFBSB165N15NZ3GXUMA1
BSB165N15NZ3 GDKR-DG
2156-BSB165N15NZ3GXUMA1
BSB165N15NZ3GXUMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDC3512_F095
MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
FDMS9410-F085
MOSFET N-CH 40V 50A POWER56
FQA5N90_F109
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P