رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC009NE2LSATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC009NE2LSATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
المخزون:
48926 قطع جديدة أصلية في المخزون
12798810
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC009NE2LSATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
41A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5800 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-7
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC009
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC009NE2LSATMA1DKR
BSC009NE2LSCT-DG
BSC009NE2LS-DG
BSC009NE2LSATMA1TR
BSC009NE2LSATMA1CT
BSC009NE2LS
SP000893362
BSC009NE2LSCT
BSC009NE2LSDKR
BSC009NE2LSDKR-DG
BSC009NE2LSTR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFBA1405
MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220
BSZ025N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
BSS138W E6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
