رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC018NE2LSATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC018NE2LSATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
المخزون:
11357 قطع جديدة أصلية في المخزون
12798548
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC018NE2LSATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
29A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC018
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
SP000756336
BSC018NE2LSCT-DG
BSC018NE2LS-DG
BSC018NE2LSATMA1DKR
BSC018NE2LSATMA1TR
BSC018NE2LSTR-DG
BSC018NE2LSCT
BSC018NE2LSDKR-DG
BSC018NE2LSATMA1CT
BSC018NE2LS
BSC018NE2LSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
AUIRF3007
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
