رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC030N03LSGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC030N03LSGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
المخزون:
18328 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802923
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC030N03LSGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4300 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC030
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
SP000237661
BSC030N03LSGATMA1CT
BSC030N03LSGATMA1TR
BSC030N03LS GTR-DG
BSC030N03LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC030N03LS G-DG
BSC030N03LS GDKR-DG
BSC030N03LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC030N03LS GCT-DG
BSC030N03LS GDKR
2156-BSC030N03LSGATMA1TR
BSC030N03LSGATMA1DKR
BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFZ48Z
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
IPA60R280P7SE8228XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
IRFB33N15D
MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
