رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC070N10NS3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC070N10NS3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
المخزون:
10181 قطع جديدة أصلية في المخزون
12798887
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC070N10NS3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 75µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4000 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
114W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC070
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC070N10NS3 GDKR
BSC070N10NS3GATMA1CT
BSC070N10NS3 G-DG
SP000778082
BSC070N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC070N10NS3GATMA1DKR
BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-DG
BSC070N10NS3GATMA1TR
BSC070N10NS3 G
BSC070N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC070N10NS3G
BSC070N10NS3GXT
BSC070N10NS3 GTR-DG
BSC070N10NS3 GDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC026NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
AUIRF7669L2TR
MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
BSP296L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4