رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC070N10NS5SCATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC070N10NS5SCATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 82A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-WSON-8-2
المخزون:
3188 قطع جديدة أصلية في المخزون
12936863
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC070N10NS5SCATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Ta), 82A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2700 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-WSON-8-2
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC070
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
448-BSC070N10NS5SCATMA1CT
448-BSC070N10NS5SCATMA1TR
SP005348852
448-BSC070N10NS5SCATMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RS6P100BHTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2725
DiGi رقم الجزء
RS6P100BHTB1-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4926NT3G
MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
RJK03M8DNS-WS#J5
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3491-E
NCH 4V DRIVE SERIES
