رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC0902NSIATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC0902NSIATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
المخزون:
26102 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799910
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC0902NSIATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 10mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-6
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC0902
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC0902NSICT-DG
SP000854380
BSC0902NSITR-DG
BSC0902NSITR
BSC0902NSIATMA1DKR
BSC0902NSIATMA1CT
BSC0902NSICT
BSC0902NSIDKR-DG
BSC0902NSIATMA1TR
BSC0902NSI
BSC0902NSIDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BTS110NKSA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
IPA60R600P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
IPB50CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3