رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC0904NSIATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC0904NSIATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
المخزون:
29829 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801901
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC0904NSIATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta), 78A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-6
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC0904
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC0904NSIATMA1CT
BSC0904NSIDKR
BSC0904NSITR-DG
2156-BSC0904NSIATMA1TR
BSC0904NSIATMA1TR
BSC0904NSIATMA1DKR
BSC0904NSIDKR-DG
BSC0904NSI-DG
BSC0904NSICT-DG
BSC0904NSICT
BSC0904NSI
SP000854384
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA65R1K5CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
IRFR4105ZTR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
