رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC090N03LSGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC090N03LSGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 48A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
المخزون:
22735 قطع جديدة أصلية في المخزون
12798526
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC090N03LSGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta), 48A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 32W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-5
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC090
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC090N03LSG
BSC090N03LSGINDKR-DG
BSC090N03LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC090N03LSGINTR
BSC090N03LSGINCT-DG
BSC090N03LSGINTR-DG
BSC090N03LSGATMA1CT
BSC090N03LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGATMA1DKR
BSC090N03LSGXT
SP000275115
BSC090N03LSGINDKR
BSC090N03LS G
BSC090N03LSGATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFZ44Z
MOSFET N-CH 55V 51A TO220
BSP297H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
AUIRFL024NTR
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
