رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC100N06LS3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC100N06LS3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
المخزون:
6323 قطع جديدة أصلية في المخزون
12798324
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC100N06LS3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 23µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3500 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-5
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC100N06LS3 GTR
SP000453664
BSC100N06LS3 G-DG
BSC100N06LS3GATMA1DKR
BSC100N06LS3GATMA1TR
BSC100N06LS3 GDKR
BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3G
BSC100N06LS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC100N06LS3 G
BSC100N06LS3 GCT-DG
BSC100N06LS3 GTR-DG
BSC100N06LS3 GDKR-DG
BSC100N06LS3GATMA1CT
BSC100N06LS3GATMA1DKR-DGTR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF7478QTR
MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
BSC052N03S G
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
BSL302SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6