رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSD214SNH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSD214SNH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
المخزون:
5980 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799636
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSD214SNH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 3.7µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
143 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT363-PO
العبوة / العلبة
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
BSD214
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
448-BSD214SNH6327XTSA1TR
448-BSD214SNH6327XTSA1DKR
INFINFBSD214SNH6327XTSA1
BSD214SN H6327-DG
BSD214SNH6327XTSA1-DG
2156-BSD214SNH6327XTSA1
SP000917656
BSD214SN H6327
448-BSD214SNH6327XTSA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
BSO064N03S
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
BSS214NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
