رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSD235NH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSD235NH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO
المخزون:
82078 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838497
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSD235NH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 2
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
950mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 1.6µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.32nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
63pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
PG-SOT363-PO
رقم المنتج الأساسي
BSD235
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSD235N H6327CT-DG
BSD235N H6327CT
BSD235NH6327XTSA1DKR
BSD235N H6327TR-DG
BSD235N H6327DKR-DG
SP000917652
BSD235N H6327DKR
BSD235NH6327XTSA1CT
BSD235NH6327XTSA1TR
BSD235N H6327-DG
BSD235N H6327
BSD235NH6327
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
