BSD816SNL6327HTSA1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

BSD816SNL6327HTSA1

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

BSD816SNL6327HTSA1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO

المخزون:

12799410
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

BSD816SNL6327HTSA1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 2.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
950mV @ 3.7µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
180 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT363-PO
العبوة / العلبة
6-VSSOP, SC-88, SOT-363

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSD816SN L6327CT
BSD816SN L6327CT-DG
SP000464868
BSD816SNL6327HTSA1CT
BSD816SNL6327HTSA1TR
BSD816SN L6327DKR
BSD816SNL6327HTSA1DKR
BSD816SN L6327DKR-DG
BSD816SN L6327TR-DG
BSD816SNL6327
BSD816SN L6327
BSD816SN L6327-DG

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

BSC16DN25NS3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5

infineon-technologies

BSC0902NSATMA1

MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON

infineon-technologies

BSS84PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

infineon-technologies

BSS138N E6433

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3