الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSL205NL6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSL205NL6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSOP6-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12799036
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSL205NL6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 11µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.2nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
419pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
PG-TSOP6-6
رقم المنتج الأساسي
BSL205
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BSL205N
مخططات البيانات
BSL205NL6327HTSA1
ورقة بيانات HTML
BSL205NL6327HTSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSL205NL6327HTSA1DKR
BSL205N L6327INTR
BSL205N L6327-DG
BSL205N L6327INCT-DG
BSL205NL6327HTSA1CT
BSL205N L6327INTR-DG
SP000442386
BSL205NL6327HTSA1TR
BSL205N L6327
BSL205N L6327INCT
BSL205N L6327INDKR-DG
BSL205NL6327
BSL205N L6327INDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSO207PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8DSO
BSL806NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
BSL308CH6327XTSA1
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
BSZ215CHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON