رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSL214NL6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSL214NL6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
المخزون:
12798730
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSL214NL6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 3.7µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.8nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
143pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
PG-TSOP6-6
رقم المنتج الأساسي
BSL214
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSL214N L6327DKR-DG
2156-BSL214NL6327HTSA1-ITTR
BSL214NL6327HTSA1TR
BSL214NL6327HTSA1DKR
BSL214NL6327
BSL214N L6327TR
BSL214N L6327CT-DG
BSL214NL6327HTSA1CT
BSL214N L6327TR-DG
SP000442430
IFEINFBSL214NL6327HTSA1
BSL214N L6327DKR
BSL214N L6327CT
BSL214N L6327-DG
BSL214N L6327
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI3900DV-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
38761
DiGi رقم الجزء
SI3900DV-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSO150N03MDGXUMA1
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
AUIRF7309QTR
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
AUIRFN8458TR
MOSFET 2N-CH 40V 43A PQFN