رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSL305SPEH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSL305SPEH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6
المخزون:
12799191
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSL305SPEH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 20µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
939 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSOP6-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SP000953150
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ6E050ATTCR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
17961
DiGi رقم الجزء
RQ6E050ATTCR-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PMN50EPEX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2970
DiGi رقم الجزء
PMN50EPEX-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC050N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON
BSZ017NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
