رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSL306NL6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSL306NL6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
المخزون:
12799276
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSL306NL6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 11µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.6nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
275pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
PG-TSOP6-6
رقم المنتج الأساسي
BSL306
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSL306NL6327HTSA1TR
BSL306NL6327HTSA1DKR
BSL306N L6327INCT-DG
BSL306N L6327INCT
BSL306N L6327-DG
BSL306NL6327
BSL306N L6327INTR-DG
BSL306N L6327INTR
SP000442404
BSL306N L6327
BSL306NL6327HTSA1CT
BSL306N L6327INDKR-DG
BSL306N L6327INDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN3135LVT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
66125
DiGi رقم الجزء
DMN3135LVT-7-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSO4804T
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
BSO612CV
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
DF23MR12W1M1B11BPSA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2