رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSO207PHXUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSO207PHXUMA1-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
المخزون:
12799598
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSO207PHXUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 44µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1650pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.6W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
PG-DSO-8
رقم المنتج الأساسي
BSO207
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
ROCINFBSO207PHXUMA1
BSO207P HDKR-DG
2156-BSO207PHXUMA1
BSO207PHXUMA1DKR
BSO207PH
BSO207PHXUMA1TR
BSO207P HCT-DG
BSO207P HTR-DG
SP000613832
BSO207P HCT
BSO207P H-DG
BSO207PHXUMA1CT
BSO207P H
BSO207P HDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS6875
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2630
DiGi رقم الجزء
FDS6875-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
SI9933CDY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
26680
DiGi رقم الجزء
SI9933CDY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ0910NDXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A WISON-8
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
BSC0993NDATMA1
MOSFET 2N-CH 17A TISON8