الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSO4410T
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSO4410T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 11.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12799352
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSO4410T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 42µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1280 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BSO4410T
ورقة بيانات HTML
BSO4410T-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP000013453
BSO4410XTINCT
BSO4410XTINTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI4890DY-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
SI4890DY-T1-E3-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS6690A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4652
DiGi رقم الجزء
FDS6690A-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN3016LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
14193
DiGi رقم الجزء
DMN3016LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ013NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
BSZ0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
BSP149H6906XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC882N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 34V 8TDSON