رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSO615N
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSO615N-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
المخزون:
12802332
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSO615N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 20µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
380pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
PG-DSO-8
رقم المنتج الأساسي
BSO615
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
BSO615NINTR
BSO615NINCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PJL9830A_R2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
PJL9830A_R2_00001-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STS4DNF60L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
10803
DiGi رقم الجزء
STS4DNF60L-DG
سعر الوحدة
0.90
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZXMN6A11DN8TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4519
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A11DN8TA-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSL315PL6327HTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6
CSD85302LT
MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
IRF7504TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
