رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP149L6906HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP149L6906HTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
المخزون:
12834049
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP149L6906HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
660mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 400µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
430 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4-21
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
INFINFBSP149L6906HTSA1
SP000089215
BSP149 L6906-DG
BSP149L6906XT
BSP149L6906HTSA1TR
2156-BSP149L6906HTSA1-ITTR
BSP149 L6906
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSP149H6906XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
55
DiGi رقم الجزء
BSP149H6906XTSA1-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BSP149H6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
25184
DiGi رقم الجزء
BSP149H6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS123LT1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
2SK4066-DL-E
MOSFET N-CH 60V 100A SMP-FD
