رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP295H6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP295H6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
943 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836864
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP295H6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 400µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
368 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
BSP295
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BSP295H6327XTSA1TR
SP001058618
BSP295H6327XTSA1CT
BSP295H6327XTSA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PJW3N10A_R2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
14009
DiGi رقم الجزء
PJW3N10A_R2_00001-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN6068SE-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
18062
DiGi رقم الجزء
DMN6068SE-13-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
3LP01M-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
