رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP315PH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP315PH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
30933 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799542
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP315PH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.17A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 1.17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 160µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
160 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
BSP315
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2156-BSP315PH6327XTSA1
SP001058830
ROCINFBSP315PH6327XTSA1
BSP315PH6327XTSA1TR
BSP315PH6327XTSA1DKR
BSP315PH6327XTSA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSF035NE2LQXUMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
BTS247ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
BSC042N03S G
MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON
