رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP316PH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP316PH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
32779 قطع جديدة أصلية في المخزون
12843263
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP316PH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
680mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8Ohm @ 680mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 170µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
146 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
BSP316
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BSP316PH6327XTSA1DKR
SP001058754
BSP316PH6327XTSA1CT
BSP316PH6327XTSA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDP6020P
MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3
NVMYS1D3N04CTWG
TRENCH 6 40V SL NFET
NDF04N60ZH
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
