رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP320SH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP320SH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 2.9A (Tj) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
813 قطع جديدة أصلية في المخزون
12834535
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP320SH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS™
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.9A (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 20µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
340 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
BSP320
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BSP320SH6327XTSA1DKR
BSP320SH6327XTSA1TR
BSP320SH6327XTSA1CT
BSP320SH6327XTSA1-DG
SP001058768
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NDT3055L
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NDT3055L-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZXMN6A08GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3489
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A08GTA-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N7002W
MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
AUIRFP064N
MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
BS170RLRMG
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
